[发明专利]一种基于共注的Ga2

摘要

本发明涉及一种基于共注的Ga2O3的P型掺杂方法，包括离子注入、后退火和表面抛光，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层先后注入氮元素和二价金属元素并用多能量注入以形成均匀的掺杂，氮元素和二价金属元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，同时预先氮元素的注入也会降低氧元素电负性太高引起的空穴的自陷效应，可以增加Ga2O3的P型区的空穴迁移率，同时引入的另一种受体掺杂杂质可以使受体掺杂浓度升高，后退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以一定的温度退火以修复晶格损伤并激活掺杂元素，表面抛光是将进行过两次离子注入和退火的晶圆面向下抛光一定厚度以降低离子注入后晶圆表面的粗糙度同时消除高温退火后掺杂元素向外扩散导致的表面掺杂不均匀。