[发明专利]一种基于共注的Ga2

权利要求书

1.一种基于共注的Ga2O3的P型掺杂方法，包括离子注入、后退火和表面抛光三个部分，其特征在于，在一个半导体衬底上生长一层N型外延，再通过注入的方式进行半导体的P型掺杂，最后再通过退火的方式进行晶格修复，其中向N型外延注入的受体掺杂元素是氮元素和二价金属元素。

2.根据权利要求1所述的P型掺杂方法，其特征在于，所述掺杂的氮元素和二价金属元素的掺杂浓度为N型外延层的施主掺杂浓度的两个数量级及以上。

3.根据权利要求1所述的P型掺杂方法，其特征在于，所述的注入的方式选用多能量注入以形成Ga2O3体内的均匀掺杂。

4.根据权利要求1所述的P型掺杂方法，其特征在于，所述退火的方式采用800-1200℃的温度来退火，以防止掺杂元素向内扩散。

5.根据权利要求4所述的P型掺杂方法，其特征在于，所述的表面抛光包括在退火结束后将注入表面进行抛光。

6.一种氧化物半导体的P型掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底外延层上进行高浓度的氮元素和二价金属元素注入；

将晶圆放入退火炉中进行退火，修复晶格损伤并形成P型掺杂；

再进行注入表面抛光。

7.一种氧化物半导体的P型掺杂方法，其特征在于，包括离子注入、后退火和退火后抛光，离子注入包括向半导体衬底的外延层注入氮元素和二价金属元素，所述氮元素和二价金属元素提供空穴以形成受体掺杂的杂质，后退火包括通过将注入后的衬底放入退火炉中以800-1200℃的温度退火，退火后抛光包括将退火后的表面进行抛光以消除两次注入后引起的表面粗糙度和缺陷升高。