[发明专利]一种复用权重的存算一体电路有效
| 申请号： | 202111535413.6 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113936717B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/412;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种复用权重的存算一体电路，其特征在于，包括：SRAM计算单元阵列；各SRAM计算单元包括存储单元、管T1、管T2、管T3和管T4，计算子模块包括管TN1、管TN2、管TP1、管TP2、耦合电容C1和耦合电容C2，管T1的栅极和管T3的栅极均连接存储单元的第一权重存储点，管T2的栅极和管T4的栅极均连接存储单元的第二权重存储点；耦合电容C1用于实现反输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算，耦合电容C2用于实现输入端的输入与对应第一权重存储点的权重值的同或计算。本发明提高了存储单元权重的利用率同时降低了权重的读写干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 权重 一体 电路 | ||
【主权项】：
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