[发明专利]光耦合结构及其制备方法、包括光耦合结构的硅基芯片有效
| 申请号： | 202111531175.1 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114114538B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 胡晓;张宇光;陈代高;肖希;王磊;刘敏;刘佳;张红广;徐路 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐雯;蒋雅洁 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了光耦合结构及其制备方法，包括光耦合结构的硅基芯片，所述光耦合结构用于传输连续光，所述光耦合结构包括：衬底以及位于所述衬底上方的多个光耦合层；多个所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向间隔设置，远离所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度大于靠近所述衬底的所述光耦合层沿垂直于所述衬底的方向上的厚度；且任意相邻两个所述光耦合层在所述衬底上的投影部分重叠；其中，所述连续光由远离所述衬底的所述光耦合层向靠近所述衬底的所述光耦合层传输。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 结构 及其 制备 方法 包括 芯片 | ||
【主权项】：
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