[发明专利]一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法

摘要

本发明公开了一种拉通型硅APD阵列及其像元间隔离方法，主要包括在硅外延衬底的上表面生长一层二氧化硅薄膜；采用光刻工艺在所述二氧化硅薄膜上制作出呈相应阵列分布的环状掺杂窗口；利用离子注入以及高温推结工艺在所述环状掺杂窗口进行深结磷掺杂，以在硅外延衬底上形成磷掺杂的隔离环；采用常规拉通型APD工艺在所述二氧化硅薄膜上通过光刻工艺和离子注入工艺制作阵列像元结构；通过金属溅积工艺和光刻工艺在所述APD像元和隔离环上溅积金属电极；本发明所述拉通型硅APD阵列像元间隔离结构，采用硅平面工艺在像元间隔区实现，工艺简单，能有效抑制APD像元的边缘击穿，提高器件分辨率和可靠性。