[发明专利]刻蚀方法在审
| 申请号： | 202111524197.5 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114361027A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 沈涛;朱瑞苹;刘海龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，用于对硅衬底表面的沟槽中的金属层进行刻蚀。待加工的硅衬底表面开设有至少一个沟槽，且在硅衬底表面和沟槽的表面覆盖有连接层；并且在连接层上设置有金属层，金属层包括覆盖在沟槽上方以及位于沟槽周围的连接层上方的第一部分，以及填充在沟槽中的第二部分；该刻蚀方法包括以下步骤：S1、对金属层的第一部分进行刻蚀，直至连接层表面暴露；S2、在金属层和连接层上沉积满足预设平面度的辅助层，辅助层覆盖金属层和连接层；S3、沿沟槽的深度增加的方向并以相同的刻蚀速度对辅助层、金属层和连接层刻蚀预设深度。本发明实施例提供的刻蚀方法能够在硅衬底的沟槽中形成较为平整的金属层，以提高金属栅极的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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