[发明专利]具有内隔离结构的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111521843.2 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN113921615B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;张清纯;徐妙玲;黎磊;张晨;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 耿苑 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有内隔离结构的半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底一侧表面上的外延层，所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面包括在第一方向上依次排布的元胞区、过渡区和终端区；所述第一方向平行于所述半导体衬底；设置在所述第一表面上的氧化层，所述氧化层位于所述过渡区；所述氧化层包括在所述第一方向上依次设置的第一栅氧化层和场氧化层；设置在所述第一表面内的主结区，所述主结区包括第一主结区和第二主结区，所述第一主结区和所述第二主结区之间具有隔离结构。可以降低在开关过程中第一栅氧化层附近的分布压降，从而提高器件对高开关速度或高dV/dt的耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 结构 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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