[发明专利]一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111520125.3 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114182199B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李洁;吴胜利;胡文波;易兴康;李永东 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，属于空间微波器件制造领域，过渡金属掺杂非晶碳薄膜包括在金属基底的表面上按照由下至上的顺序依次设置的过渡金属缓冲层、过渡金属间断性掺杂的非晶碳层以及过渡金属连续掺杂的非晶碳层；过渡金属间断性掺杂的非晶碳层由若干层过渡金属掺杂的非晶碳子层和若干层未掺杂的非晶碳子层交替叠加组成。本发明通过在非晶碳薄膜中掺杂过渡金属，过渡金属原子能与碳原子结合形成相应的碳化物，促进无定型碳网络中的sp |
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| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 掺杂 非晶碳 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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