[发明专利]一种提高硅片厚度集中度的切割加工方法在审

专利信息
申请号: 202111517044.8 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114872209A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 徐志群;朱炳;孙彬;付明全 申请(专利权)人: 广东金湾高景太阳能科技有限公司;广东高景太阳能科技有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D5/04
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 田灵菲
地址: 519000 广东省珠海市金湾区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种提高硅片厚度集中度的切割加工方法,包括步骤一、根据加工硅片厚度选择主辊分段与槽距,步骤二、斜线布网方式进行单轮布线,步骤三、对刀并采用双边布线方式进行切割,步骤四、两组硅棒同步切割处理,步骤五、切割后处理,步骤六、检验分析并计算厚度集中度;本发明通过主辊分段匹配到钢线磨损,减少加工晶棒头尾硅片厚度差异,通过双边布线方法降低硅片表面开切及收尾厚度差异,大幅度提高硅片厚度集中性,减少厚片和薄片对后端的影响,通过斜线布网方式增大了钢线张力,同时钢线在切割过程中可以旋转行进,使钢线的表面均匀受力,进而提高硅片的切割质量,保持硅片厚度稳定性。
搜索关键词: 一种 提高 硅片 厚度 集中 切割 加工 方法
【主权项】:
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