[发明专利]一种快速开通二极管和制造方法有效
| 申请号： | 202111516626.4 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113903814B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 盛况;王策;王珩宇;任娜 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 高明翠 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域中的一种快速开通二极管和制造方法，包括阴极层、阳极层和衬底层，阴极层和阳极层设置在衬底层的同一表面，且阴极层和阳极层位于同一表面的两端，衬底层上镶嵌设置有第一反型掺杂层，且阳极层连接衬底层与第一反型掺杂层，衬底层上间隔镶嵌设置有若干第二反型掺杂层，衬底层上还设置有若干接触层，接触层连接衬底层与第二反型掺杂层，具有消除电流阻碍的优点，突破了在较低的正向偏压下不能够恢复正向导通能力的瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 开通 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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