[发明专利]磁控溅射方法在审
| 申请号： | 202111515063.7 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114250439A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 谭秀文;许有超 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种磁控溅射方法，该方法应用于使用磁控溅射设备进行磁控溅射工艺中，该磁控溅射设备包括位于靶材上方或下方的磁铁组，该磁铁组包括第一磁铁和第二磁铁，该方法包括：在靶材的生命周期的第一阶段，使第一磁铁和第二磁铁之间的距离为第一距离进行磁控溅射工艺；在靶材的生命周期的第二阶段，使第一磁铁和第二磁铁之间的距离为第二距离进行磁控溅射工艺，第一距离和第二距离是第一磁铁和第二磁铁在横向上的距离，第一距离和第二距离不同。本申请通过在靶材的生命周期内分阶段调整磁铁之间的相对位置，拓宽了靶材最深刻蚀区域的面积，在安全余量不变的前提下提高了靶材利的用率，进而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
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