[发明专利]磁控溅射方法在审
| 申请号： | 202111515063.7 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114250439A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 谭秀文;许有超 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射方法，其特征在于，所述方法应用于使用磁控溅射设备进行磁控溅射工艺中，所述磁控溅射设备包括位于靶材上方或下方的磁铁组，所述磁铁组包括第一磁铁和第二磁铁，所述方法包括：
在所述靶材的生命周期的第一阶段，使所述第一磁铁和所述第二磁铁之间的距离为第一距离进行所述磁控溅射工艺；
在所述生命周期的第二阶段，使所述第一磁铁和所述第二磁铁之间的距离为第二距离进行所述磁控溅射工艺，所述第一距离和所述第二距离是所述第一磁铁和所述第二磁铁在横向上的距离，所述第一距离和所述第二距离不同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二阶段在所述第一阶段后，所述第二距离小于所述第一距离。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阶段为所述生命周期的一半，所述第二阶段为所述生命周期的一半。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述靶材包括银。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一距离为7毫米至20毫米。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二距离为1毫米至6毫米。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述第一磁铁的位置固定，所述第二磁铁在横向上的位置可调节。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111515063.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种网络拓扑的双重校验方法及系统
- 下一篇：一种广告投放设备的广告更刊方法
- 同类专利
- 专利分类
