[发明专利]一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法，该方法包括：制备硒化锗纳米片悬浮液；将制得的纳米片悬浮液通过电泳沉积到ITO基板上形成硒化锗膜；将经过电泳沉积处理的ITO基板进行干燥处理；将经过干燥处理的ITO基板通过离子层连续吸附反应依次在镉离子的前驱体溶液和硫离子或硒离子的前驱体溶液吸附4～8min，交替循环吸附3～10次，在硒化锗膜上形成硫化镉膜或硒化镉膜；将经过离子吸附处理的ITO基板进行干燥处理，即得硒化锗复合材料的光电器件。本发明通过电泳沉积法和离子层连续吸附反应法制备出高光响应特性的硒化锗复合材料光电器件。该方法操作简单，易于控制，实验环境要求低，有利于工业化推广。