[发明专利]一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）制备硒化锗纳米片悬浮液；

2）将步骤1）制得的硒化锗纳米片悬浮液通过电泳沉积到ITO基板上，形成GeSe膜；

3）将经过步骤2）电泳沉积处理的ITO基板进行干燥处理；

4）将经过步骤3）干燥处理的ITO基板通过离子层连续吸附反应依次在镉离子的前驱体溶液和硫离子或硒离子的前驱体溶液中分别吸附4~8min，交替循环吸附3~10次，在GeSe膜上形成CdS膜或CdSe膜，GeSe膜与CdS膜之间含有GeSe/CdS的范德华异质结，GeSe膜与CdSe膜之间含有GeSe/CdSe的范德华异质结；

镉离子的前驱体溶液为Cd(NO₃)·4H₂O均匀分散至无水乙醇中；硫离子的前驱体溶液为Na₂S·9H₂O均匀分散至无水乙醇中，硒离子的前驱体溶液为Na₂Se均匀分散至无水乙醇中；镉离子的前驱体溶液和硫离子的前驱体溶液浓度均为5mg/mL，硒离子的前驱体溶液浓度也为5mg/mL；

5）将经过步骤4）处理的ITO基板进行干燥处理，即得所述硒化锗复合材料的光电器件。

2.根据权利要求1所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤1）中制备硒化锗纳米片悬浮液具体为：将二维硒化锗纳米片分散至无水乙醇和去离子水的混合液中制备得到硒化锗纳米片悬浮液；其中，无水乙醇和去离子水的体积比为：1:3到3:1。

3.根据权利要求2所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，

所述二维硒化锗纳米片采用超声辅助液相剥离法制得，具体为：将GeSe块体加入以丙酮和酒精溶液制成的剥离介质中依次进行超声和离心处理，将离心后的产物洗涤干燥，即得到硒化锗纳米片。

4.根据权利要求1所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤1）中制得的硒化锗纳米片悬浮液的质量浓度为0.5 ~ 5mg/mL。

5.根据权利要求1所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤2）中，电泳沉积过程中采用不锈钢片接直流电源的负极，ITO接直流电源的正极，两电极之间的电压为10~50V，间距为0.5~2cm，沉积的时间为15~60min。

6.根据权利要求1所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤3）和步骤5）中的干燥处理均为在50~70℃下干燥6~12小时。

7.根据权利要求1所述的一种硒化锗复合材料的光电器件的制备方法，其特征在于，步骤2）中GeSe膜的厚度为0.3~4um；步骤4）中CdS膜或者CdSe膜的厚度为0.8~6um。

8.一种硒化锗复合材料的光电器件，其特征在于，采用如权利要求1~7任一所述的制备方法制得。