[发明专利]一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法有效
| 申请号： | 202111502322.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114329919B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈娟娟;谷增杰;王润福;耿海;郭宁;李娟;王彦龙;郭德洲;张涛 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/15;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京元理果知识产权代理事务所(普通合伙) 11938 | 代理人： | 饶小平 |
| 地址： | 730013 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本申请涉及空间电推进技术领域，具体而言，涉及一种离子推力器屏栅极溅射刻蚀仿真分析方法，通过构建仿真计算模型，建立高能离子与屏栅极表面溅射腐蚀速率之间的关系，实现对屏栅极失效发生的概率进行评估。一方面是基于离子推力器放电室的基础理论知识，进一步明确放电室气体放电过程和高能离子产生过程，另一方面是明晰高能离子对固体表面的轰击溅射刻蚀过程和工作机制，仿真计算结果可为设计人员在离子电推进产品研制及优化设计提供手段支持和数据参考，以达到大幅缩短产品研发周期、降低产品研制成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 推力 栅极 溅射 刻蚀 仿真 分析 方法 | ||
【主权项】：
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