[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法在审
| 申请号： | 202111499478.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114628575A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平;石谷优刚;滨中幸祐;小村英嗣 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/14;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供以较少的电流进行动作的磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法。该磁化旋转元件包括自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。 | ||
| 搜索关键词： | 磁化 旋转 元件 磁阻 效应 磁存储器 自旋 轨道 转矩 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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