[发明专利]磁化旋转元件、磁阻效应元件、磁存储器和自旋轨道转矩配线的制造方法

权利要求书

1.一种磁化旋转元件，其特征在于，包括：

自旋轨道转矩配线；和

层叠于所述自旋轨道转矩配线的第1铁磁性层，

所述自旋轨道转矩配线包括多个配线层，

在与所述自旋轨道转矩配线的长度方向正交的截面中，各个配线层的截面积与电阻率之积，越是接近所述第1铁磁性层的所述配线层越大。

2.如权利要求1所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述多个配线层中的最靠近所述第1铁磁性层的第1配线层，包含烧绿石结构的化合物。

3.如权利要求2所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述化合物为氧化物。

4.如权利要求3所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述氧化物以化学计量组成由R₂Ir₂O₇的组成式表示，

所述组成式中的R为选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中的一种以上的元素。

5.如权利要求4所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述组成式中的R包含第1元素，

所述第1元素为Pr和Nd中的至少一者。

6.如权利要求5所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述组成式中的R包含第1元素和第2元素，

所述第1元素为Pr和Nd中的至少一者，

所述第2元素为选自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho中的一种以上的元素。

7.如权利要求6所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述第2元素的组成比小于所述第1元素的组成比。

8.如权利要求3～7中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述氧化物氧缺失。

9.如权利要求1～8中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述自旋轨道转矩配线的电阻率为1mΩ·cm以上。

10.如权利要求1～9中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述自旋轨道转矩配线的电阻率为10mΩ·cm以下。

11.如权利要求1～10中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述多个配线层中的任一个包含原子序数比钇大的重金属。

12.如权利要求1～11中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述多个配线层中的任一个包含选自Ag、Au、Mg、V、Pd、Cu、Si和Al中的一种以上的元素。

13.如权利要求1～12中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述多个配线层中的任一个包含氮化物。

14.如权利要求1～13中任一项所述的磁化旋转元件，其特征在于：

在所述自旋轨道转矩配线的与所述第1铁磁性层相反的一侧还具有间隔层，

所述间隔层包含选自Cr、Ti、Ta、Ni、Ru、W中的任一种以上的元素。

15.如权利要求14所述的磁化旋转元件，其特征在于：

所述间隔层的膜厚为3nm以下。

16.一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：

权利要求1～15中任一项所述的磁化旋转元件；

非磁性层，其与所述磁化旋转元件的所述第1铁磁性层相接；和

第2铁磁性层，其与所述第1铁磁性层一起将所述非磁性层夹在中间。

17.一种磁存储器，其特征在于：

包括多个权利要求16所述的磁阻效应元件。