[发明专利]一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 202111496045.9 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114203564A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 杜茂华 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 226004 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供缓冲芯片以及多组存储器芯片，每组存储器芯片均包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；其中，缓冲芯片设置有多个第一导电通孔，第一存储器芯片和第二存储器芯片均设置有与多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通孔；分别将每组存储器芯片中的第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组；依次将多个所述存储器微模组绝缘堆叠设置在缓冲芯片上；形成塑封层，塑封层包裹多个存储器微模组和缓冲芯片。采用双芯片进行混合键合构成存储器微模组，可以实现超多层芯片堆叠，提高生产效率，实现键合高度下降，芯片层数大大增加，容量增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 堆叠 宽带 存储器 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
