[发明专利]用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法在审
| 申请号： | 202111495125.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114121773A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 叶冬;沈小刚;罗驰;练东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/01;C04B41/90;C04B41/52;C04B41/00 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于高可靠薄膜混合集成电路的陶瓷薄膜基板及制作方法，包括在基板上依次形成薄膜电阻层、阻挡层和薄金籽晶层；在薄金籽晶层上形成金导带；去除薄金籽晶层；在待镀镍区域形成镍层；在焊盘区域的镍层上履盖焊盘金层；形成薄膜电阻网络；形成镍钝化层。本发明中，在氧化铝陶瓷基板上采用磁控溅射、光刻技术、微电子电镀工艺、去胶、腐蚀技术和热处理工艺技术，分别形成金导带、镍铬硅薄膜电阻网络，并在金导带上叠加镍金烧焊焊盘及阻焊层，制作的薄膜基板金层厚度厚、线宽精度高、台阶形貌陡直，可以满足高精度、高频和高可靠应用要求；基板结构兼容标准微组装工艺，可广泛应用于薄膜混合集成电路领域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可靠 薄膜 混合 集成电路 陶瓷 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
