[发明专利]一种肖特基接触的沟槽型功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111490701.4 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114171608A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 裴艳丽;方湃文;卢星;陈梓敏;王钢 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 冼俊鹏 |
| 地址： | 510275 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基接触的沟槽型功率二极管及其制备方法，涉及半导体器件领域，针对沟槽MOS结构无法参与导电导致牺牲器件的导通电阻和芯片面积利用率的缺陷提出本方案。n型衬底与下电极为欧姆接触；n型漂移层远离n型衬底的一侧延伸出若干肋条；肋条之间铺设有高势垒层，还设有低势垒层覆盖高势垒层端部和肋条端面；设置上电极填充覆盖低势垒层和高势垒层表面。优点在于，设置可以与n型漂移层材质形成高势垒肖特基结的高势垒层，高势垒肖特基结在反偏的时候具有相对较小的泄漏电流，其耗尽区的展宽可以夹断沟槽间的肋条，有效阻断低势垒肖特基结的漏电，实现良好的反向耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 接触 沟槽 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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