[发明专利]一种基于过渡金属硫化物的栅极环绕型晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202111486390.4 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114203822A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 韩拯;陈茂林;张静 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人： | 程园园 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种基于过渡金属硫化物的栅极环绕型晶体管及制备方法。为打破现有GAAFET材料体系的限制，本发明晶体管包括衬底、多个层叠结构、源极、漏极、介电层和栅极；在所述衬底上沉积有多个层叠结构，所述漏极和源极分别沉积在层叠结构的前后侧，所述层叠结构由栅极环绕的沟道层堆叠组成，所述沟道层与栅极之间有介电层相隔，所述漏极、源极与栅极之间也有介电层相隔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 过渡 金属 硫化物 栅极 环绕 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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