[发明专利]一种沟槽栅功率器件及硅化物栅极制造方法在审
| 申请号： | 202111485978.8 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116247084A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 辛鸿飞 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率器件以及硅化物栅极制造方法，其包括器件主体、正面金属层、金属化漏极以及多个沟槽栅，其中：器件主体的顶端覆盖正面金属层，器件主体的顶端凹设多个栅极沟槽，各相邻的栅极沟槽之间的区域为半导体平台区，半导体平台区与金属源极连接；每个沟槽栅包括栅介质层和栅导电层，栅导电层位于栅极沟槽内，且栅导电层的顶部低于半导体平台区的上表面，栅极沟槽内高于栅导电层的部分形成介质槽；栅导电层的顶部覆盖有第一介质，第一介质与金属栅极连接，第一介质与栅导电层结合处形成扩散层。本发明提供的沟槽栅功率器件以及硅化物栅极制造方法，可以减小沟槽栅器件的栅极方块电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 硅化物 栅极 制造 方法 | ||
【主权项】：
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