[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法在审

专利信息
申请号: 202111485187.5 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114169213A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 张瑞;郝国强;周瑞;叶晓军;李红波 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25;G06F30/28;G16C60/00;G06F113/26
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 李鸿儒
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法,包括以下步骤:根据石墨烯建立4×4的石墨烯超胞,根据单层WSe2建立3×3WSe2的超胞,将3×3WSe2的超胞垂直叠加在4×4的石墨烯超胞上,得到基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型;通过基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型对气体的吸附进行研究,从理论上计算了气体吸附在异质结气体传感器模型上的吸附能、能带结构、电荷密度差分。本发明构建的基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型,通过分析石墨烯/二硒化钨异质结对十种气体的吸附性能,从理论上计算了气体吸附在异质结上的稳定构型、能带结构和电荷转移。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 二硒化钨 异质结 气体 传感器 模型 构建 方法
【主权项】:
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