[发明专利]优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用在审
| 申请号： | 202111483158.5 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114421909A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;庞正基;轩伟鹏;金浩;骆季奎;刘刚;刘舒婷;钟高峰;邹锦林 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17;H01L41/29;H01L41/314 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 fbar 空腔 平坦 缺陷 方法 应用 | ||
【主权项】：
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