[发明专利]基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法

摘要

本发明公开了基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法，开关为SiC MOSFET，包括以下步骤：构建所述SiC MOSFET的损耗模型，通过采集所述SiC MOSFET的采样电信号，估算所述SiC MOSFET的损耗；基于器件损耗和稳态热网络，通过采集高速/超高速电机控制器上开关器件的散热器的表面温度，估算SiC MOSFET的结温，并与预设的保护阈值进行比较，根据比较结果，对SiC MOSFET进行过热保护；系统包括DSP控制芯片、栅极驱动芯片、三相两电平逆变器、信号采样电路、散热及测温模块，DSP控制芯片用于执行开关过热保护方法；本发明避免器件因过热而失效甚至发生爆炸，危害系统的安全运行。