[发明专利]一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器及其制备方法。本发明的光电探测器包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAs/InAsSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；形成于阴极接触层之上的阴极；形成于阳极接触层之上的阳极；分别与阴极及阳极电连接的共面波导电极。本发明的光电探测器利用InAs和InAsSb形成有效带隙低于原材料带隙的二类超晶格结构，从而将吸收区截至波长延伸至中红外波段，同时还具有一定的可调节范围，此外，基于电子输运的单载流子结构有助于提高器件的响应速度，InAs/InAsSb二类超晶格较长的载流子寿命也有助于提高器件的光响应度。