[发明专利]一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法在审
| 申请号： | 202111474738.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114171605A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 毛建军;任亮;胡煜涛;贺鸿浩;金家斌;王俊;虞旭俊;苏云清;蒋杰 | 申请（专利权）人： | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/417 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管及其制造方法。该方法首先在N‑型(110)晶面硅单晶片的正面掩膜胶上划切网格形式的腐蚀槽窗口，用硅各向异性择优腐蚀液对硅片正面的窗口进行化学腐蚀，获得直角凹槽；然后在硅扩散片的正、反面分别扩散入P+型和N+型半导体杂质，得到P+N‑N+型硅扩散片；最后对P+N‑N+型硅扩散片进行喷砂、镀镍、锯切、焊接、台面钝化、压模成型，封装成硅二极管。本发明利用静电屏蔽效应显著改善器件反向击穿电压特性，产品性价比高，产生显著经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 杂质 扩散 屏蔽 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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