[发明专利]氮化硅陶瓷基板及其制造方法在审
申请号: | 202111472033.2 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114409413A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 邢孟江;杨晓东;代传相;邢孟道;刘永红 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学长三角研究院(湖州) |
主分类号: | C04B35/583 | 分类号: | C04B35/583;C04B35/622;C04B38/08 |
代理公司: | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人: | 王婷婷 |
地址: | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板,包括按质量分数占氮化硅陶瓷基板总体质量50%‑90%的氮化硅空心球体,剩余为添加剂和/或助剂以及无法去除的杂质。本发明氮化硅陶瓷基板,通过将氮化硅空心球体设置为主要材料,因其空心从而具备良好的导热率、密度较小和较低的相对介电常数,同时制备工艺简单,易于大批量生产。本发明还公开了上述氮化硅陶瓷基板的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 氮化 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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