[发明专利]一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构在审
| 申请号： | 202111466249.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114171085A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张嘉伟;魏晓飞;宋宸;王倩;秦司晨 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构，包括传感层、存储层、计算层和硅多位复用器逻辑层，所述传感层、存储层、计算层和硅多位复用器逻辑层之间通过通过纳米管进行超密集连接；磁场传感组件中的磁致伸缩层在外部磁场的的作用下伸缩，磁致伸缩层的伸缩引起压电层的伸缩变化。压电层伸缩使两端面存在电势差，该电势差作为信号反应外界磁场信息。所有传感层中的传感器单元直接并行的将数据写入下面存储层中的RRAM单元。通过感应磁场的分布及变化来判断电网的运行状况，以及与人工智能相结合，对磁场分布进行预测，对设备的使用情况及寿命进行精确预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁电 效应 磁场 感存算 一体 结构 | ||
【主权项】：
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