[发明专利]一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构在审
| 申请号： | 202111466249.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114171085A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张嘉伟;魏晓飞;宋宸;王倩;秦司晨 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁电 效应 磁场 感存算 一体 结构 | ||
1.一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构，其特征在于，包括传感层(15)、存储层(16)、计算层(17)和硅多位复用器逻辑层(18)，所述传感层(15)、存储层(16)、计算层(17)和硅多位复用器逻辑层(18)之间通过通过纳米管(19)进行超密集连接；
所述传感层(15)、存储层(16)的阵列单元包括磁场传感组件和RRAM组件，所述的磁场传感组件包括依次连接的磁致伸缩层(9)、压电层(10)和传感组件电极(11)，所述的压电层(10)上端与所述的磁致伸缩层(9)相连，所述的压电层(10)下端与所述的传感组件电极(11)相连，所述磁场传感组件与RRAM组件通过中间的介电层(12)相连，所述传感组件介电层(1)内部包裹传感组件，所述RRAM组件包括依次连接的RRAM组件顶部电极(2)、介电数据存储层(4)、RRAM组件底部电极(3)，所述的RRAM组件顶部电极(2)和介电数据存储层(4)被RRAM组件顶部介电层(7)包裹，所述的RRAM组件底部电极(3)被RRAM组件底部介电层(8)包裹，所述的RRAM组件顶部电极(2)的上端通过上部金属通孔(5)与所述的上部金属互连层(13)连接，所述的RRAM组件底部电极(3)的下端通过底部金属通孔(6)与底部金属互连层(14)相连，RRAM单元(20)电性连接字线(22)、位线(23)。
2.根据权利要求1所述的一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构，其特征在于，所述计算层(17)内置计算加速器(26)、输入/输出(22)、译码器(28)用于RRAM置位、读取电压的控制，硅多位复用器逻辑层(18)包括接口(24)，接口(24)包括多位复用器(25)、传感放大器(27)。
3.根据权利要求1所述的一种基于磁电效应的磁场感存算一体结构，其特征在于，所述传感层(15)通过输入/输出(21)连接RRAM单元(20)。
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