[发明专利]氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法在审
| 申请号： | 202111460474.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114086249A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 唐为华;李山 | 申请（专利权）人： | 北京镓和半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00;C30B27/02;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100876 北京市怀柔区雁栖经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 镓单晶 制备 抑制 原料 分解 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
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