[发明专利]一种碳化硅研磨的装置和方法在审
申请号: | 202111448410.9 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114012597A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 王越波;高冰 | 申请(专利权)人: | 浙江晶越半导体有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B37/34;B24B55/03;B24B1/00;B08B3/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 312400 浙江省绍*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及化学机械研磨技术领域,特别涉及一种碳化硅研磨的装置和方法,其中研磨装置,包括:工作台;旋转台,设置在工作台上;研磨盘,设置在旋转台上;吸附盘,设置在研磨盘上;第一清洗降温装置,设置在工作台上,用来对研磨盘和真空吸附盘接触部分的研磨区域进行清洗和冷却;第一清洗干燥装置,可以活动的防止在工作台上,以对研磨后的晶片背面进行清洗干燥。本发明的第一清洗装置有效的增强了研磨区域的清洗和冷却效果同时减少了水资源的浪费,而且实现了在碳化硅晶片研磨的同时进行清洗。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 研磨 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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