[发明专利]一种Micro LED外延片制备方法有效
| 申请号： | 202111443341.2 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114242859B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 解向荣;吴永胜;刘恒山;马野 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林振杰 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Micro LED外延片制备方法，在衬底上二次生长氮化铝薄膜缓冲层，能够得到低位错密度的氮化铝缓冲层；在氮化铝薄膜缓冲层上循环使用不同的温度、压力和转速进行3D型氮化镓的生长，因此能够通过循环变温变压变转速的方式生长氮化镓，能够改变不同生长方向上的生长速度，从而湮灭3D型氮化镓的位错密度，进而湮灭衬底和氮化镓之间产生的贯穿位错；在3D型氮化镓上生长U型氮化镓、N型氮化镓、有源区、P型氮化镓以及重掺杂P型氮化镓，从而得到低位错密度的Micro LED外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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