[发明专利]一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法在审
| 申请号： | 202111437891.3 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114141470A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 谢晋;支钞;屈明山;李严军;王颉;张慧;刘鑫;陶宏 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01F13/00 | 分类号： | H01F13/00;H01F41/04 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 刘璐 |
| 地址： | 621999*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS微细线圈的微区域磁化装置及方法，所述装置包括包括：脉冲电源、细微线圈、基体和永磁薄膜；所述方法包括：首先利用微纳加工工艺制备微细线圈，接着制备永磁薄膜，将永磁薄膜贴合在微细线圈的基体上，在微细线圈上接通脉冲电源后，即可实现永磁体的磁化。本发明基于MEMS工艺制备了磁体磁化用的微细线圈，这种微细线圈制作工艺可减小磁化区域特征尺寸和复杂线圈图形制作的难度，本发明利用尺寸较小、形状可任意调整的MEMS微细线圈实现永磁体的微区域磁化，解决了现有技术中无法制备尺寸较小、形状复杂的微细线圈的问题，为电磁传感器、执行器等电子器件微型化提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 微细 线圈 区域 磁化 装置 方法 | ||
【主权项】：
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