[发明专利]一种半导体器件及其应用与制造方法在审
| 申请号： | 202111424557.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113889531A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 林信南;石黎梦 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其应用与制造方法，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；第一氮化镓层，设置在所述势垒层上，且覆盖所述势垒层；第二氮化镓层，设置在所述第一氮化镓层上；第三氮化镓层，设置在所述第二氮化镓层上；第一漏极，设置在所述第三氮化镓层上；第一源极，设置在所述第三氮化镓层上，且所述第一源极和所述第一漏极之间形成凹部；以及第一栅极，设置在所述势垒层上，且所述第一栅极覆盖所述凹部，以及所述第一源极和所述第一漏极靠近所述凹部的顶部；其中，所述第二氮化镓层和所述第三氮化镓层位于所述源极和所述漏极与所述势垒层之。通过本发明提供的一种半导体器件，可改善集成半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 应用 制造 方法 | ||
【主权项】：
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