[发明专利]一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法在审
| 申请号： | 202111412744.0 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116193970A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 傅德颐;黄世明;张波;陈家栋;赵永鑫 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/20 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，涉及自旋电子学。在硅衬底上制备长条状单层石墨烯，再制备双层h‑BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出铁磁电极形状，曝光结束后显影；将样品放入电子束/热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再电子束蒸镀钴作为铁磁电极，200℃下氩气氛退火1h形成In/Co混溶合金界面，得有缓冲层的自旋阀器件。该方法形成铁磁电极层‑缓冲层‑隧穿层的无损界面，实现提高自旋注入效率。易于实现，成本低廉，操作难度和技术要求低，利于大规模产业化应用；方法通用性非常好，可推广至其他带有隧穿层的自旋电子器件中，提高器件自旋注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 缓冲 提高 自旋 注入 效率 方法 | ||
【主权项】：
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