[发明专利]一种自适应型MEMS电场传感器及其结构有效
| 申请号： | 202111408915.2 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114113813B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 储昭志;杨鹏飞;闻小龙;彭春荣;夏善红;刘宇涛;吴双 | 申请（专利权）人： | 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 谢明晖 |
| 地址： | 100089 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自适应型MEMS电场传感器及其结构，包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；所述拾振参考电极与可动接地电极之间形成电容，用于检测可动接地电极的振动情况；可动接地电极与感应电极相对部分，形成感应电极的屏蔽电极，感应电极用于感应外部电场；在驱动电极上施加激励信号，使可动接地电极处于谐振状态，检测拾振参考电极、感应电极的输出，以感应电极输出的解调感应电压除以拾振参考电极输出的解调参考电压，得到外部电场检测结果。通过自动调整激励信号及对输出进行修正，能够根据环境及结构参数变化进行自适应调整，实现对传感器输出漂移的补偿，极大提高MEMS传感器的测量准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 mems 电场 传感器 及其 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科飞龙传感技术有限责任公司，未经北京中科飞龙传感技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111408915.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
