[发明专利]一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺有效
| 申请号： | 202111389663.3 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114055256B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 卞梁;潘连胜;何翠翠 | 申请（专利权）人： | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;B24B57/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理有限公司 11613 | 代理人： | 薛晓萌;齐云 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及本发明提供一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺，其包括：在精抛结束后，快速使用表面处理液对硅片表面进行处理；所述表面处理液包括：1‑3体积份的两性离子表面活性剂，2‑3体积份乙二醇，0.5‑2份含有羟基的阴离子表面活性剂，100体积份的超纯水。本发明的表面处理液，用于在硅片精抛结束后，快速处理硅片，其主要从三个方面降低硅片的Haze值：(1)迅速降低精抛结束后硅片表面的温度从而缓和化学腐蚀；(2)隔离抛光液减缓并最终停止抛光液与硅片表面的化学腐蚀作用；(3)使抛光过程中产生的颗粒脱离硅片表面，从而去除表面颗粒，达到减少对硅片表面划伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 表面 粗糙 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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