[发明专利]一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺

权利要求书

1.一种改善硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于，包括：在精抛结束后，快速使用表面处理液对硅片表面进行处理；

所述表面处理液由1-3体积份的两性离子表面活性剂，2-3体积份乙二醇，0.5-2份含有羟基的阴离子表面活性剂，100体积份的超纯水所组成；

所述两性离子表面活性剂为C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基甜菜碱或C8-C20烷基酰胺基C3-C8烷基磺基甜菜碱；

所述含有羟基的阴离子表面活性剂为羟基羧酸盐类、羟烷基醚羧酸盐类、羟烷基磺酸盐类、脂肪酸单甘油酯硫酸酯盐类或脂肪酸单甘油酯磷酸酯盐类的表面活性剂；

所述处理方式为：设定抛光定盘的转速为18-25rpm，带动硅片旋转，同时向硅片表面喷淋所述表面处理液；喷淋所述表面处理液的速度为8-12L/min，喷淋时间为1-2min。

2.根据权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述表面处理液由1.5体积份的两性离子表面活性剂，2.5体积份乙二醇，1.2体积份含有羟基的阴离子表面活性剂、100体积份的超纯水所组成。

3.根据权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，在进行表面处理液处理之前，先完成精抛，所述精抛条件为：精抛8min，抛光液流量为1L/min，抛头压力设定为60kg，冷却温度为20℃。