[发明专利]阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法在审
| 申请号： | 202111388650.4 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN113935268A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 乔明;郭银;江逸洵;郑祖泉;刘文良;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/373;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高压阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA‑LIGBT)的等效电路模型及仿真方法，包括：核心场效应管；核心三极管；第一漏端电阻，该电阻连接到核心场效应管的漏极且与第二漏端电阻串联；第二漏端电阻，该电阻与第一漏端电阻串联且该电阻第二端用作高压晶体管的集电极；核心三极管基极电阻，该电阻的一端连接到第一漏端电阻和第二漏端电阻串联的中点并且第二端连接到核心三极管的基极；核心三极管发射极电阻，该电阻的第一端连接到核心三极管的发射极并且第二端作为高压晶体管的集电极；发射极电阻，该电阻的一端连接到核心场效应管的源极且第二端用作高压晶体管的发射极。相比传统模型，本发明提高了SA‑LIGBT模型从MOS状态过渡到IGBT工作状态的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 短路 横向 绝缘 双极晶体管 等效电路 模型 仿真 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111388650.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种固化炉在线除尘装置
- 下一篇：信息处理方法、装置、服务器及存储介质
