[发明专利]阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型及仿真方法

权利要求书

1.一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型，其特征在于，包括：核心场效应晶体管(101)、核心双极晶体管(核心三极管)(102)、第一漏端电阻(106)、第二漏端电阻(103)、核心双极晶体管发射极电阻(104)、核心双极晶体管基极电阻(105)、核心双极晶体管集电极电阻(107)和高压晶体管发射极电阻(108)；

核心场效应晶体管(101)的电流电压特性采用BSIM4模型的参数进行拟合；

核心双极晶体管(102)的电流电压特性采用葛谋-潘(GP)模型的参数进行拟合；

所述核心场效应晶体管(101)的第一漏端电阻(106)的第一端连接到核心场效应晶体管(101)的漏极，所述第一漏端电阻(106)的第二端与核心场效应晶体管(101)的第二漏端电阻(103)串联；

核心场效应晶体管(101)的第二漏端电阻(103)的第一端与所述核心场效应晶体管(101)的第一漏端电阻(106)的第二端相连，所述第二漏端电阻(103)的第二端作为高压晶体管的集电极；

所述核心双极晶体管发射极电阻(104)的第一端连接到核心双极晶体管(102)的发射极，所述核心双极晶体管发射极电阻(104)的第二端连接到第二漏端电阻(103)的第二端作为高压晶体管的集电极；

所述基极电阻(105)的第一端连接到所述第一漏端电阻(106)和所述第二漏端电阻(103)的连接处，所述基极电阻(105)的第二端连接到核心双极晶体管(102)的基极；

所述集电极电阻(107)的第一端连接到核心双极晶体管(102)的集电极，所述集电极电阻(107)的第二端连接到核心场效应晶体管(101)的源极；

所述高压晶体管发射极电阻(108)的第一端连接到核心场效应晶体管(101)的源极，所述高压晶体管发射极电阻(108)的第二端用作高压晶体管发射极。

2.根据权利要求1所述的阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型，其特征在于，所述第二漏端电阻(103)的电阻值与加在所述核心双极晶体管发射极电阻(104)上的电压、核心双极晶体管发射极电阻(104)的阻值、温度和所述高压晶体管的宽度和元胞数目之间的关系是：

R_d＝((rd0-rd0*2/π*arctan(Vrc0/(k1_ref*rc0)))*(1+rd1_tem*ΔT+rd2_tem*ΔT²+rd3_tem*ΔT³))/W/multi；

rd0是电压为零时的第二漏端电阻(103)电阻值,Vrc0是指加在核心双极晶体管发射极电阻(104)上的电压的绝对值，k1_ref是分母中的拟合参数，rc0是核心双极晶体管发射极电阻(104)上电压为零时的电阻值，rd1_tem、rd2_tem、rd3_tem分别是第二漏端电阻(103)的一阶、二阶、三阶指数项的温度系数；T是系统温度，W是高压晶体管的宽度，multi是高压晶体管的元胞数目。

3.根据权利要求1所述的阳极短路横向绝缘栅双极晶体管等效电路模型，其特征在于，所述基极电阻(105)的电阻值与加在所述核心双极晶体管发射极电阻(104)上的电压、所述核心双极晶体管发射极电阻(104)阻值、温度和所述高压晶体管的宽度和元胞数目之间的关系是：

R_b＝(r0-r0*2/π*arctan(Vrc0/(k2_ref*rc0)))*Rb0_temp_eff/W/multi，Rb0_temp_eff＝1+rb1_tem*ΔT+rb2_tem*ΔT²+rb3_tem*ΔT³；

r0是电压为零时的基极电阻(105)阻值，k2_ref是分母中的拟合参数，rc0是核心双极晶体管发射极电阻(104)上电压为零时的电阻值，rb1_tem、rb2_tem、rb3_tem分别是基极电阻(105)的一阶、二阶、三阶指数项的温度系数，T是系统温度，W是高压晶体管的宽度，multi是高压晶体管的元胞数目。