[发明专利]一种电阻抗断层成像电极的接触阻抗校准方法在审
| 申请号： | 202111383133.8 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114052702A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 尤富生;李蔚琛;张国栋;朱燕 | 申请（专利权）人： | 杭州永川科技有限公司 |
| 主分类号： | A61B5/0536 | 分类号： | A61B5/0536 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 李亦慈;唐银益 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻抗断层成像电极的接触阻抗校准方法，在原有差分算法的基础上，通过一种接触阻抗校准算法，生成带有消除接触阻抗变化对成像数据的影响的新预迭代矩阵，使得在即使接触阻抗发生改变的情况下依旧可以准确成像。本发明通过校准接触阻抗可以很好的解决上述问题，在实际测量过程中无需过多的关注电极与被测物体存在接触阻抗影响成像质量的问题，去除干扰后比如被测物体的一些微小扰动信息，在图像上也可以呈现出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 断层 成像 电极 接触 校准 方法 | ||
【主权项】：
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