[发明专利]一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111369840.1 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN114284430A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 陈星宇;张缪城;秦琦;戎焕焕;童祎 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 刘艳艳
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法,铁电忆阻器件设置在衬底上,铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极,所述底电极和顶电极的材质为TiN,所述阻变层的材质为La2Ti2O7;所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触,所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触;所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。
搜索关键词: 一种 基于 钛酸镧 铁电忆阻 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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