[发明专利]一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件，所述铁电忆阻器件设置在衬底上，其特征在于，所述铁电忆阻器件包括从下至上依次布设的底电极、阻变层和顶电极，所述底电极和顶电极的材质为TiN，所述阻变层的材质为La₂Ti₂O₇；所述阻变层的底面与所述底电极的顶面相接触，所述阻变层的顶面与所述顶电极的底面相接触，所述铁电忆阻器件集成有1个区域的NJUPT字样的单一器件、2个区域的长方形单一器件、3个区域的圆形单一器件、9个3×3忆阻器阵列、3个8×8忆阻器阵列、1个12×12忆阻器阵列。

2.根据权利要求1或2所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件，其特征在于，所述底电极、顶电极的厚度为100nm，阻变层的厚度为20nm。

3.根据权利要求1或2所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件，其特征在于，在NJUPT字样的单一器件、长方形单一器件、圆形单一器件中，所述底电极、阻变层和顶电极相互平行，且底电极、阻变层、顶电极竖直方向同中心轴设置。

4.根据权利要求1或2所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件，其特征在于，在NJUPT字样的单一器件、长方形单一器件、圆形单一器件中，所述底电极面积大于阻变层的面积。

5.根据权利要求1所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件，其特征在于，所述8×8忆阻器阵列包括一个第一8×8忆阻器阵列和两个第二8×8忆阻器阵列；其中第一8×8忆阻器阵列位于中心位置，第一8×8忆阻器阵列的尺寸为60um。

6.根据权利要求1所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件，其特征在于，3×3忆阻器阵列、8×8忆阻器阵列、12×12忆阻器阵列的底电极与顶电极水平方向上相互垂直设置。

7.一种基于钛酸镧的铁电忆阻器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

S1：在衬底上覆盖第一掩膜版，真空环境下，通过物理气相沉积一层TiN作为底电极；

S2：取下第一掩膜版，通过对准标记覆盖第二掩膜版，真空环境下，在底电极上氧化生长一层La₂Ti₂O₇作为阻变层；

S3：取下第二掩膜版，通过对准标记覆盖第三掩膜版，真空环境下，在阻变层上通过物理气相沉积一层TiN作为顶电极。

8.根据权利要求7所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件的制备方法，其特征在于，所述衬底采用硅片。

9.根据权利要求7所述的基于钛酸镧的铁电忆阻器件的制备方法，其特征在于，所述底电极、顶电极的厚度为100nm，阻变层的厚度为20nm。