[发明专利]一种三维外延注入六边形电极硅探测器

摘要

本发明公开了一种三维外延注入六边形电极硅探测器，包括由多个硅探测器单元组成的硅探测器阵列，所述硅探测器单元包括N型轻掺杂硅基体、阴极铝电极接触层、阴极铝电极接触层、上表面SiO2、N型重掺杂阳极和P型重掺杂阴极，所述先由外延工艺生长出N型轻掺杂硅基体，再通过离子注入进行P型重掺杂阴极进行掺杂，并重复30次，所述P型重掺杂阴极外侧覆盖有阴极铝电极接触层，所述N型轻掺杂硅基体的顶部嵌设有N型重掺杂阳极。本发明探测器阵列在单元下侧连接处增加了阳极，从结构设计上避免了死区的存在，因此具有更加均匀的电势、电场分布，拥有更高的电荷收集率，探测器的性能更加稳定。