[发明专利]用于制备薄膜锂电池的钴酸锂正极靶材及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111361724.5 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN114057233B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 周钧;马贵龙;甘志俭;杨俊明 申请(专利权)人: 鄂尔多斯市紫荆创新研究院
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M10/052;C01G51/00
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人: 刘长江
地址: 017000 内蒙古自治区鄂尔多*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 一种用于制备薄膜锂电池的钴酸锂正极靶材及其制备方法。制备方法包括:预混步骤、球磨步骤、过筛步骤、压制步骤、烧结步骤以及冷却步骤。本发明的钴酸锂正极靶材及其制备方法,能够专门适用于采用磁控溅射镀膜方式制备全固态薄膜锂电池的方案,解决了采用磁控溅射镀膜方式制备全固态薄膜锂电池过程中所存在的“无可用的合适靶材”问题。基于本发明所制备的钴酸锂正极靶材以及磁控溅射镀膜技术,制得的全固态薄膜锂电池的接触面电阻明显降低,显著提高了电池的性能。
搜索关键词: 用于 制备 薄膜 锂电池 钴酸锂 正极 及其 方法
【主权项】:
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