[发明专利]单层锗基石墨烯低温后固化转移方法有效
| 申请号： | 202111354758.1 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114195143B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 胡开明;屠尔琪;张文明;李修远;辛宜航;邓心陆 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单层锗基石墨烯低温后固化转移方法，在通过CVD工艺生长的锗基石墨烯表面旋涂载体材料，并三层复合结构以载体材料面朝上置于容器中，浇入未固化的PDMS与气泡法剥离得到的多层石墨烯(beGr)的混合物进行低温后固化工艺，然后对三层复合结构上的锗片进行刻蚀处理并最后进行触发加热实现三层复合结构的平坦化。本发明利用低温后固化构筑柔性目标基底，将大面积、高质量单层锗基石墨烯有效地转移，构建三层结构体系，既能够保证石墨烯与PMMA界面处、PMMA与PDMS界面处有足够的界面粘附能，也能避免高温后固化工艺引起PMMA与PDMS之间形成梯度界面层，从而构筑石墨烯/PMMA/beGr‑PDMS三层系统，并制备出单一尺度、失稳模式可控的石墨烯共型褶皱图案。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 基石 低温 固化 转移 方法 | ||
【主权项】：
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