[发明专利]一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法在审
| 申请号： | 202111324640.4 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114050800A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴秀山;徐霖;崔佳民;姚玮;彭涛;闫树斌;朱振宇 | 申请（专利权）人： | 浙江水利水电学院 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 许佳 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，属于薄膜体声波谐振器技术领域。在基体硅上刻蚀出凹槽，在所述凹槽底部中形成第一牺牲层，在所述第一牺牲层上方和所述凹槽内壁形成第二牺牲层，在所述第二牺牲层中心形成第三牺牲层，然后在所述第三牺牲层上形成支撑层；再于所述支撑层上形成底电极，利用湿法腐蚀先去除所述第二牺牲层，再去除所述第一牺牲层和所述第三牺牲层，最后在所述底电极上形成压电层和顶电极，形成微声薄膜谐振器空腔结构；所述支撑层不能完全覆盖所述第二牺牲层。通过设计特定的三层牺牲层结构，然后利用湿法腐蚀先去除中间的牺牲层，增大腐蚀液与上下两层牺牲层的接触面积，达到快速形成空腔结构的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 形成 薄膜 谐振器 空腔 结构 方法 | ||
【主权项】：
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