[发明专利]一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法

权利要求书

1.一种快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基基体硅(101)上刻蚀出凹槽，在所述凹槽底部中形成第一牺牲层(104)，在所述第一牺牲层(104)上方和所述凹槽内壁形成第二牺牲层(102)，在所述第二牺牲层(102)中心形成第三牺牲层(103)，然后在所述第三牺牲层(103)上形成支撑层(105)；再于所述支撑层(105)上形成底电极(106)，利用湿法腐蚀先去除所述第二牺牲层(102)，再去除所述第一牺牲层(104)和所述第三牺牲层(103)，最后在所述底电极(106)上形成压电层和顶电极，形成微声薄膜谐振器空腔结构；

所述支撑层(105)不能完全覆盖所述第二牺牲层(102)。

2.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述凹槽的深度为0.8～1.1μm；所述第一牺牲层(104)的厚度为300～400nm；所述第二牺牲层(102)的厚度为200～300nm；所述第三牺牲层(103)的厚度为300～400nm。

3.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，凹槽内壁形成的第二牺牲层(102)与凹槽周围的基体硅(101)齐平。

4.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述第三牺牲层(103)形成后将其磨至与周围齐平。

5.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述第一牺牲层(104)和所述第三牺牲层(103)的材料包括Si₃N₄或非晶硅；所述第二牺牲层(102)的材料包括金属氧化物或金属氮化物。

6.根据权利要求5所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀选用的腐蚀液为碱性溶液。

7.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述支撑层(105)的材料为Si₃N₄。

8.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述支撑层(105)的厚度为200～300nm。

9.根据权利要求1所述的快速形成微声薄膜谐振器空腔结构的方法，其特征在于，所述形成第一牺牲层(104)、第二牺牲层(102)、第三牺牲层(103)、支撑层(105)、底电极、压电层和顶电极的方法包括磁控溅射法或气相沉积法。