[发明专利]广域电磁深度约束反演成像方法、电子设备和存储介质在审
| 申请号： | 202111322004.8 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN116106978A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 康家光;袁茂林;李爱勇;易建民;李金磊;林东成;詹少全;敬朋贵 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司勘探分公司;江苏华东八一四地球勘查有限公司（江苏省有色金属华东地质勘查局八一四队） |
| 主分类号： | G01V3/38 | 分类号： | G01V3/38 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张加庆 |
| 地址： | 100027 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种广域电磁深度约束反演成像方法、电子设备和存储介质，其中深度约束反演成像方法包括：步骤1：建立约束反演初始模型，引入钻孔信息作为约束反演的约束条件，所述钻孔信息包括目标深度层的顶面深度、底面深度和视电阻率；步骤2：根据所述约束反演初始模型和所述约束条件进行约束反演，所述约束反演包括垂向网格剖分，在所述垂向网格剖分中，对所述目标深度层进行加密空间网格剖分，对非目标深度层进行稀疏空间网格剖分；拟合所述目标深度层的频率‑视电阻率曲线，得到约束反演的初始结果；步骤3：判断所述初始结果是否可作为最终的约束反演结果，若否，则返回所述步骤1，直至所述约束反演的结果能够作为最终的反演结果。 | ||
| 搜索关键词： | 广域 电磁 深度 约束 反演 成像 方法 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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